特許

J-GLOBAL ID：200903060558779444

フォトレジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法

発明者： 朴 春根 ,  李 重▲げん▼ ,  韓 宇聲
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-193551
公開番号（公開出願番号）：特開平6-194836
出願日： 1993年08月04日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 0.25μmまでの良好なプロファイルを有するレジストパターンが収得できるのみならず、パターンの線形性が0.25μmまで保たれ、0.25μm大きさの微細パターンとこれより大きい大きさのパターンを同時に形成する。【構成】 式Iのノボラック系樹脂と式IIのポリビニルフェノール系樹脂を含むフォトレジスト組成物を半導体ウェーハ上に塗布してレジスト層を形成した後、フォトマスクを用いて前記レジスト層を選択的に露光させ、レジスト層表面の少なくとも一部をシリル化してシリル化レジスト層を形成した後、前記シリル化されたレジスト層下部のレジストを除いたシリル化されていないレジストを除去してレジストパターンを形成する。

請求項（抜粋）：

下記式(I)【化1】のノボラック系樹脂と、下記式(II)【化2】のポリビニルフェノール系樹脂を含むことを特徴とするフォトレジスト組成物(ただし、式中、R11は水素原子または炭素数1ないし6のアルキル基を示し、R12は炭素数1ないし6のアルキレン基を示し、n1 及びn2 は正の整数を示す。)。

IPC (4件)：

G03F 7/038 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/023 511 ,  H01L 21/027