特許
J-GLOBAL ID：200903060563600436
半導体装置および半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-001083
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204475
出願日： 1993年01月07日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：
【要約】【目的】高濃度領域と低濃度領域からなるソース・ドレイン領域を有するMOSFETを具備する半導体装置において、外部から入ってくる高電圧から、内部回路を保護する半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。【構成】Nチャンネル型MOSFET10のソース・ドレイン領域9の外側に、P型不純物拡散層11が形成されている。またMOSFETのゲート電極側壁のサイドウォールスペーサの幅が、他のMOSFETのゲート電極側壁のサイドウォールスペーサの幅よりも狭くする。【効果】ソース・ドレイン領域と基板間で形成されるジャンクションダイオードの逆方向耐圧をゲート膜の絶縁耐圧以下に下げ、高電位がゲート膜にかからないようにすることで、外部からの高電圧から、内部回路を保護する事ができる。
請求項（抜粋）：
第一導電型半導体基板内に第二導電型MOSFETを具備する半導体装置において、少なくとも一つ以上の第二導電型MOSFETのソース・ドレイン領域の外側に、前記半導体基板よりも高濃度の第一導電型不純物拡散層が配設されていることを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/78 301 S
, H01L 29/78 301 K
