特許

J-GLOBAL ID：200903060568711163

半導体イオンセンサ及びその製造方法

発明者： 有井 康孝 ,  阪井 淳 ,  杉浦 義幸 ,  齊藤 宏 ,  山本 政博
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-145524
公開番号（公開出願番号）：特開2002-340849
出願日： 2001年05月15日
公開日（公表日）： 2002年11月27日
要約：

【要約】【課題】封止樹脂がイオン感応部に覆い被さってセンサ機能が損なわれることを防止し、且つそれに伴う実装作業工程を簡略化する。【解決手段】センサチップAの表面側に枠部11を接着する。この枠部11は、金属あるいは合成樹脂により、その直径がイオン感応部6よりも小さくない大きさとした開口部11aを有する円筒形に形成され、開口部11aにイオン感応部6を臨ませるようにしてセンサチップAに接着される。故に、イオン感応部6以外の部位を封止樹脂23にて封止する際にイオン感応部6を覆い隠すような特別な装置を用いることなく封止樹脂23のイオン感応部6への流れ込みを枠部11にて阻止することができ、封止樹脂23がイオン感応部6に覆い被さってセンサ機能が損なわれることを防止し、且つそれに伴う実装作業工程が簡略化できるとともに歩留まりの低下を防ぐことができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の主表面側にイオン感応部を備え、半導体基板の主表面側におけるイオン感応部以外の部位を封止樹脂で覆ってなる半導体イオンセンサであって、イオン感応部よりも小さくない大きさの開口部を有し該開口部にイオン感応部を臨ませるようにして半導体基板の主表面側に設けられて封止樹脂のイオン感応部への流れ込みを阻止する枠部を備えたことを特徴とする半導体イオンセンサ。

IPC (2件)：

G01N 27/414 ,  H01L 21/56

FI (4件)：

H01L 21/56 Z ,  G01N 27/30 301 U ,  G01N 27/30 301 Z ,  G01N 27/30 301 W

Fターム (4件)：

5F061AA01 ,  5F061BA01 ,  5F061BA04 ,  5F061FA06