特許

J-GLOBAL ID：200903060572369860

非晶質半導体

発明者： 佐野 景一 ,  綾 洋一郎
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 山田 義人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-189615
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045527
出願日： 1993年07月30日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：

【要約】【構成】 容量結合型RFグロー放電装置により、SiH4 ,GeH4 ,H2 の原料ガスを用いてa-SiGe:H膜を作製し、低放電電力で生じさせた水素プラズマを用いて膜中に水素を導入した。このとき、結合水素と全水素量との比を0.7以下とし、かつ柱状(カラム)構造をもたないものとした。【効果】 光劣化率が改善された。

請求項（抜粋）：

炭素,ケイ素,ゲルマニウムまたはそれらの合金を主材とし、未結合手の終端を目的とする元素を、水素およびハロゲン元素のうちから少なくとも1種類含む非晶質半導体において、主材元素と結合した未結合手終端元素と前記非晶質半導体中に含まれるその元素の総量との比を0.7以下としたことを特徴とする、非晶質半導体。