同期型半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：加藤朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-227393
公開番号（公開出願番号）：特開平11-066894
出願日： 1997年08月08日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】低周波の外部クロックしか得られないメモリテスターをもって当該メモリテスターの性能を上回る、より高周波での試験を可能とすると共に、試験時間短縮を可能とする同期型半導体記憶装置の提供。【解決手段】外部からのクロック入力の第1のレベルから第2のレベルへの遷移に応答して第1のパルスを発生する第1のパルス発生回路と、前記クロック入力以外の第2の信号入力のレベル遷移に応答して第2のパルスを発生する第2のパルス発生回路と、を備え、内部同期信号が前記第1のパルスと前記第2のパルスとの双方に応答して生成される。

請求項（抜粋）：

外部からのクロック入力の第1のレベルから第2のレベルへの遷移に応答して第1のパルスを発生する第1のパルス発生回路と、前記クロック入力以外の第2の信号入力のレベル遷移に応答して第2のパルスを発生する第2のパルス発生回路と、を備え、前記第1のパルスと前記第2のパルスとの双方に応答して内部同期信号が生成される、ことを特徴とする同期型半導体記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 29/00 671 , G11C 11/407 , G11C 11/401

FI (3件)：

G11C 29/00 671 Z , G11C 11/34 362 S , G11C 11/34 371 A

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