特許

J-GLOBAL ID：200903060581161083

半導体装置の製造方法

発明者： 大塚 達也
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  富士通ヴィエルエスアイ株式会社
代理人 (1件)： 有我 軍一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-326126
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094465
出願日： 1991年12月10日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、半導体装置の製造方法に関し、被エッチング膜をECRプラズマエッチングする際、高速エッチング、高選択性及び良好な異方性形状を得ることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 沸素含有化合物ガス、塩素ガス及び酸素ガスをエッチングガスとするとともに、該酸素ガスの総流量に対する流量比を2%以上10%以下とし、更に該沸素含有化合物ガスの総流量に対する流量比を1%以上2%以下として被エッチング膜をECRプラズマエッチングするように構成する。

請求項（抜粋）：

沸素含有化合物ガス、塩素ガス及び酸素ガスをエッチングガスとするとともに、該酸素ガスの総流量に対する流量比を2%以上10%以下とし、更に該沸素含有化合物ガスの総流量に対する流量比を1%以上2%以下として被エッチング膜をECRプラズマエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。