特許
J-GLOBAL ID：200903060582266008
レジスト処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田北 嵩晴
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-077159
公開番号（公開出願番号）：特開平8-045835
出願日： 1987年03月20日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：
【要約】【目的】 紫外線照射によるレジスト膜の損傷を防止するとともに、紫外線照射により発生したレジストの揮発物が紫外線の透過する透過窓に付着して紫外線の透過率が減少するのを防止して、レジスト処理を好適に実行する方法を提供すること。【構成】 パターン化されたレジスト4が半導体ウエハ5の上に形成されており、半導体ウエハ5はウエハ処理台6に載置される。排気口12から排気されて、処理室7は減圧雰囲気とされる。照射部は、高圧水銀灯1、凹面ミラー2、開閉可能なシャッター3などから構成されており、レジスト4に紫外線を含む放射光を照射する。ガス注入口13から注入される空気や不活性ガスが多孔板14から流出し、レジスト4からの揮発物が照射窓8に付着することを防止する。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハに塗布されたレジストを紫外線を含む放射光で照射処理するレジスト処理方法において、減圧雰囲気中に前記レジストを配置して、前記紫外線を含む放射光で照射し、紫外線を含む放射光の照射に際し、該紫外線の透過する透過窓近傍に空気または不活性ガスまたはこれらの混合ガス雰囲気を作り、窓の汚れを少なくすることを特徴とするレジスト処理方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 7/40 501
, H01L 21/3065
H01L 21/30 571
, H01L 21/30 566
, H01L 21/302 H
