特許
J-GLOBAL ID：200903060582939118
低圧-DC-熱化学蒸着法を利用したカーボンナノチューブ垂直配向蒸着方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
磯野 道造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-073546
公開番号（公開出願番号）：特開2001-303250
出願日： 2001年03月15日
公開日（公表日）： 2001年10月31日
要約：
【要約】【課題】 低温でガラスやシリコンよりなる大面積の基板上に低温-DC-熱化学蒸着方法を通じて純粋なカーボンナノチューブを垂直配向する方法を提供する。【解決手段】 炭化水素ガスをNi、Fe、Co、Y、Pd、Pt、Auまたはこれらの合金のうち少なくとも一つの物質よりなるか、前記物質が表面上に蒸着されたメッシュ状の構造物に通過させて600°C以下の温度で炭化水素ガスを触媒熱分解させる第1段階と、Ni、Fe、Co、Y、Pd、Pt、Auまたはこれらの合金のうち少なくとも一つの物質よりなるか、前記物質が表面に蒸着された電極用基板とカーボンナノチューブ成長用基板とを所定距離だけ離隔させて対向させた後、これらの間にDC電圧を印加して前記触媒熱分解された炭化水素ガスを分解させる第2段階とを含むことを特徴とする炭化水素ガスを利用して基板上にカーボンナノチューブを成長させる熱化学蒸着方法。
請求項（抜粋）：
炭化水素ガスを利用して基板上にカーボンナノチューブを成長させる熱化学蒸着方法において、炭化水素ガスをNi、Fe、Co、Y、Pd、Pt、Auまたはこれらの合金のうち少なくとも一つの物質よりなるか、前記物質が表面上に蒸着されたメッシュ状の構造物に通過させて600°C以下の温度で炭化水素ガスを触媒熱分解させる第1段階と、Ni、Fe、Co、Y、Pd、Pt、Auまたはこれらの合金のうち少なくとも一つの物質よりなるか、前記物質が表面に蒸着された電極用基板とカーボンナノチューブ成長用基板とを所定距離だけ離隔させて対向させた後、これらの間にDC電圧を印加して前記触媒熱分解された炭化水素ガスを分解させる第2段階とを含むことを特徴とするカーボンナノチューブ垂直配向蒸着方法。
IPC (3件)：
C23C 16/26
, C01B 31/02 101
, H01J 9/02
C23C 16/26
, C01B 31/02 101 F
, H01J 9/02 B
