特許

J-GLOBAL ID：200903060584796829

不揮発性半導体メモリ

発明者： 金箱 和範
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-075963
公開番号（公開出願番号）：特開2002-279788
出願日： 2001年03月16日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：

【要約】【課題】本発明は、データ書き込み後のメモリセルの閾値電圧のばらつきを少なくすることを特徴とする。【解決手段】奇数カラム及び偶数カラムのメモリセルに対してデータのプログラムを行ない、プログラム終了後に、奇数カラム及び偶数カラムのメモリセルのプログラムベリファイを順次行ない、このベリファイ結果に応じて奇数カラム及び偶数カラムのメモリセルに対してデータの再プログラムを行ない、上記動作を繰り返して行なうことによりデータの書き込み制御を行なうビット線制御回路22を有することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

ワード線と、それぞれコントロールゲート及びフローティングゲートを有し、上記ワード線にコントロールゲートが共通に接続され、それぞれ1つのn値(nは2を超える正の整数)データを記憶する奇数カラム及び偶数カラムの複数のメモリセルと、上記奇数カラム及び偶数カラムのメモリセルに対してデータのプログラムを行ない、プログラム終了後に、奇数カラム及び偶数カラムのメモリセルのプログラムベリファイを順次行ない、このベリファイ結果に応じて上記奇数カラム及び偶数カラムのメモリセルに対してデータの再プログラムを行ない、上記動作を繰り返して行なうことによりデータの書き込み制御を行なう制御回路とを具備したことを特徴とする不揮発性半導体メモリ。

IPC (2件)：

G11C 16/02 ,  G11C 16/06

FI (3件)：

G11C 17/00 611 A ,  G11C 17/00 634 Z ,  G11C 17/00 641

Fターム (6件)：

5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD04 ,  5B025AD05 ,  5B025AE08