特許
J-GLOBAL ID：200903060587225857
半導体受光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-016662
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232442
出願日： 1993年02月04日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：
【要約】【目的】 メサ型pn接合フォトダイオードで問題となる表面リーク暗電流を低減し、低暗電流・高信頼な半導体受光素子を実現する。【構成】 n+ 型半導体基板11上に、n+ 型バッファー層12、n- 型超格子アバランシェ増倍層13、p型ワイドギャップ電界降下層14、p- 型光吸収層15、p+ 型キャップ層16、p+ 型コンタクト層17が積層され、メサ側壁に基板と格子整合する高抵抗半導体層110を形成した構造を有する。
請求項（抜粋）：
メサ型pn接合フォトダイオードにおいて、メサ側壁に基板と格子整合する高抵抗半導体層を形成した構造を有することを特徴とする半導体受光素子。
引用特許：
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