特許
J-GLOBAL ID：200903060589563105
太陽電池セルの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-043018
公開番号（公開出願番号）：特開2005-236017
出願日： 2004年02月19日
公開日（公表日）： 2005年09月02日
要約：
【課題】PN接合層にダメージを与えることなく半導体基板を分割できる太陽電池セルの製造方法を提供すること。【解決手段】太陽電池セルの製造方法は、一方の表面側にPN接合層が形成され分割を要する半導体基板を加工ステージ上に位置決めし、位置決めされた半導体基板にレーザーを走査して半導体基板を局部的に溶融させることにより分割溝を形成し、分割溝を利用して半導体基板を分割し太陽電池セルを得る工程を備え、半導体基板を加工ステージ上に位置決めする前記工程は、半導体基板の一方の表面が加工ステージと対向するように加工ステージ上に位置決めする工程であり、位置決めされた半導体基板にレーザーを走査する前記工程は、半導体基板の他方の表面側から所望の分割線に沿ってレーザーを走査して他方の表面側に分割溝を形成する工程である。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
一方の表面側にPN接合層が形成され分割を要する半導体基板を加工ステージ上に位置決めし、位置決めされた半導体基板にレーザーを走査して半導体基板を局部的に溶融させることにより分割溝を形成し、分割溝を利用して半導体基板を分割し太陽電池セルを得る工程を備え、半導体基板を加工ステージ上に位置決めする前記工程は、半導体基板の一方の表面が加工ステージと対向するように加工ステージ上に位置決めする工程であり、位置決めされた半導体基板にレーザーを走査する前記工程は、半導体基板の他方の表面側から所望の分割線に沿ってレーザーを走査して他方の表面側に分割溝を形成する工程である太陽電池セルの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
5F051AA02
, 5F051AA03
, 5F051BA14
, 5F051CB28
, 5F051CB30
, 5F051DA03
, 5F051EA16
, 5F051GA04
出願人引用 (1件)
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ダイシング法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-085513
出願人：シャープ株式会社
審査官引用 (5件)
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特開昭52-019987
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III-V族化合物半導体太陽電池
公報種別：公開公報
出願番号：特願平7-077626
出願人：株式会社ジャパンエナジー
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光電変換装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平7-341399
出願人：京セラ株式会社
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