特許

J-GLOBAL ID：200903060590195705

光半導体電極、光電変換装置及び光電変換方法

発明者： 今井 彰 ,  佐藤 克洋 ,  廣瀬 英一 ,  小野 好之
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-254244
公開番号（公開出願番号）：特開2000-082506
出願日： 1998年09月08日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
要約：

【要約】【課題】 光電変換効率、安定性、耐久性等に優れる光半導体電極の提供。【解決手段】 半導体の基材上に、該基材と反応する式(I):(Y1)m R1 (COY2) n 、式(II):(Y1)m R1 (NCO)n 及び式(III) :(Y1)m R1 (Y3) nのいずれかで表される化合物の少なくとも1種による化学吸着膜と、該化学吸着膜と反応して共有結合を形成し得る色素化合物の少なくとも1種による色素膜とをこの順に有してなることを特徴とする光半導体電極である。但し、Y1 は、ハロゲン原子、-OR2 、-OCOR2 等を表す。Y2 は、ハロゲン原子、-OH、-OR2 等を表す。Y3 は、-OH、-NH2 又は-NHR2 を表す。Y4 は、ハロゲン原子を表す。R1 は、飽和若しくは不飽和の脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基又は複素環基を表す。R2 は、炭素数1〜20の脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、又は複素環基を表す。m及びnは1〜3の整数を表す。

請求項（抜粋）：

半導体の基材上に、該基材と反応する下記式(I)、(II)及び(III) のいずれかで表される化合物の少なくとも1種による化学吸着膜と、該化学吸着膜と反応して共有結合を形成し得る色素化合物の少なくとも1種による色素膜とをこの順に有してなることを特徴とする光半導体電極。(Y1)m R1 (COY2) n ・・・・・ (I)(Y1)m R1 (NCO)n ・・・・・ (II)(Y1)m R1 (Y3) n ・・・・・(III)但し、前記式(I)、(II)及び(III) 中、Y1 は、ハロゲン原子、-OR2、-OCOR2 、-OSO2 R2 、-COY4 、-COOR2 又は-(CO)2O、を表す。Y2 は、ハロゲン原子、-OH、-OR2 、-OCOR2 、-OSO2 R2 又は(-O-)1/2 を表す。Y3 は、-OH、-NH2 又は-NHR2 を表す。Y4 は、ハロゲン原子を表す。R1 は、飽和若しくは不飽和の脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、又は複素環基を表す。R2 は、炭素数1〜20の脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、又は複素環基を表す。m及びnは、1〜3の整数を表す。

IPC (2件)：

H01M 14/00 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z

Fターム (7件)：

5F051AA14 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB05 ,  5H032EE16 ,  5H032EE20 ,  5H032HH00