特許
J-GLOBAL ID：200903060590495962
面発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-318710
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196814
出願日： 1992年11月27日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】【目的】 出射光の偏波方向が一方向に安定化されていることを特徴とする面発光素子を実現する。【構成】 (100)面から(111A)面に対して2°傾斜したn形GaAs基板10上にn形GaAs/AlAs多層反射膜20、n形GaAs層11、In<SB>0 . 2 </SB>Ga<SB>0 . 8 </SB>As歪量子井戸活性層12、P形GaAsクラッド層13、P形GaAs/AlAs多層反射膜21が形成してある。【効果】 出射光の偏波は<011>方向にほぼ平行であり、これに直交する偏波との間の光強度の比はP⊥:P‖=1:100と良好な直線偏波になっている。
請求項（抜粋）：
(100)面に対して傾斜した面を持つ半導体基板上に、前記半導体基板あるいは前記基板上に形成された成長層と格子定数の異なる活性層が形成され、かつ前記傾斜した面に垂直方向にレーザ光が出射されることを特徴とする面発光素子。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, G02F 3/00
, H01L 33/00
