高純度チタンを製造する方法及び装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：倉内基弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-335716
公開番号（公開出願番号）：特開平8-225980
出願日： 1989年02月15日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：

【要約】【課題】半導体分野でのスパッタリング用途に使用できる高純度のチタンを製造することができ、しかも工業的に採算のとれるチタン精製技術の確立。【解決手段】溶融塩電解法により、アルカリ金属含有率が0.1ppm 以下、放射性元素含有率が1ppb 以下、重金属含有率が0.5ppm 以下、更に酸素含有率が100ppm 以下の高純度チタンを製造する方法及び装置。チタンスポンジをブリケット状に圧縮したチタン原料を使用し、溶融塩が接触する部材を3N以上の高純度ニッケルから構成した溶融塩電解装置により、チタンスポンジをバスケット8に収納してアノード11とカソード12の間で電解操業する。ルツボ6、チタンスポンジバスケット8、アノードパイプ7、カソード棒9等の溶融塩に直接接触する部材をニッケルで構成する。

請求項（抜粋）：

溶融塩電解法により、アルカリ金属含有率が0.1ppm 以下、放射性元素含有率が1ppb 以下そして重金属含有率が0.5ppm 以下であり、更に酸素含有率が100ppm 以下である高純度チタンを製造する方法において、チタンスポンジをブリケット状に圧縮したチタン原料を使用しそして少なくとも溶融塩が接触する部材乃至部品を3N(99.9%)以上の純度の高純度ニッケルから構成した溶融塩電解装置により電解操業することを特徴とする高純度チタン製造方法。

IPC (3件)：

C25C 3/28 , C22B 34/12 103 , C25C 7/00 302

FI (3件)：

C25C 3/28 , C22B 34/12 103 , C25C 7/00 302

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