特許

J-GLOBAL ID：200903060596259217

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 佐伯 隆宏
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 佐野 静夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-001203
公開番号（公開出願番号）：特開2002-208286
出願日： 2001年01月09日
公開日（公表日）： 2002年07月26日
要約：

【要約】【課題】情報消去回数からメモリセルの劣化検出を行う従来の不揮発性半導体記憶装置では、前記メモリセルの実際の劣化状況を知ることができないため、該劣化を高精度に検出して、その進行を適切に抑制することが難しい。【解決手段】本発明は、電気的に情報の書き込み、消去、読み出しが可能な不揮発性半導体記憶装置10において、メモリセル11の情報消去に要した消去時間Teと、予め基準消去時間メモリ15に記憶された基準消去時間Tiとを比較することでメモリセル11の劣化を検出し、該劣化の進行を抑制する構成である。

請求項（抜粋）：

メモリセルに対して、電気的に情報の書き込み、消去及び読み出しが可能な不揮発性半導体記憶装置において、前記メモリセルに書き込まれた情報を消去する際に要した消去時間を計測する消去時間計測手段と、予め設定された基準消去時間を記憶する基準消去時間メモリと、前記消去時間と前記基準消去時間とを比較することで、前記メモリセルの劣化を検出する劣化検出手段と、を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

FI (3件)：

G11C 17/00 601 D ,  G11C 17/00 601 E ,  G11C 17/00 612 E

Fターム (5件)：

5B025AA02 ,  5B025AD00 ,  5B025AD08 ,  5B025AD15 ,  5B025AE00