特許
J-GLOBAL ID：200903060596855863
結晶成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-004194
公開番号（公開出願番号）：特開平5-186295
出願日： 1992年01月13日
公開日（公表日）： 1993年07月27日
要約：
【要約】【目的】 原子層成長を制御することのできる結晶成長方法に関し、原子層成長が可能で、制限の少ない結晶成長方法を提供することを目的とする。【構成】 下地表面上に成長すべき化合物の構成元素の層を少なくとも1原子層以上成長する工程と、前記構成元素と結合し、かつその結合力が前記構成元素と前記下地との結合力よりも小さな物質を形成する物質を供給することにより、前記構成元素の層における前記下地と結合していない前記構成元素を除去する工程とを含む。
請求項（抜粋）：
下地(1,2)表面上に成長すべき化合物の構成元素の層(4)を少なくとも1原子層以上成長する工程と、前記構成元素と結合し、かつその結合力が前記構成元素と前記下地との結合力よりも小さな物質を形成する物質(3)を供給することにより、前記構成元素の層における前記下地と結合していない前記構成元素(4a)を除去する工程とを含むことを特徴とする結晶成長方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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