特許
J-GLOBAL ID：200903060598188171
平行平板型ドライエッチング装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐々木 聖孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-048488
公開番号（公開出願番号）：特開2001-313286
出願日： 2001年02月23日
公開日（公表日）： 2001年11月09日
要約：
【要約】【課題】 平行平板型ドライエッチング装置において被処理基板上におけるプラズマ密度の分布特性を向上させること。【解決手段】 このドライエッチング装置では、上部電極18の周囲で環状突出部材50が上部電極18に対して被処理基板Wを載置する下部電極20側へ突出して段差dを形成することで、上部電極18の周辺部付近において電界が補強され、プラズマ密度が高められる。この電界の補強ひいてはプラズマ密度の増強の度合いは、環状突出部材50の突出量dを変えることで可変調整できる。
請求項（抜粋）：
真空可能な処理容器に相対向する第1および第2の電極を設け、前記第1および第2の電極間に高周波電圧を印加するとともにエッチングガスを流し込んで前記エッチングガスのプラズマを生成し、前記プラズマを用いて前記第2の電極上に配置された被処理基板をエッチングする平行平板型のドライエッチング装置において、前記被処理基板の径方向におけるプラズマ密度の分布特性を制御するために前記第1の電極に対して前記第2の電極側に突出して段差を形成する電界強度補正用の突出部を前記第1の電極の周辺部付近に設けることを特徴とするドライエッチング装置。
IPC (3件)：
H01L 21/3065
, B01J 19/08
, H05H 1/46
B01J 19/08 E
, H05H 1/46 M
, H01L 21/302 C
