特許
J-GLOBAL ID：200903060603242279
セラミック製パッケージ及び該パッケージの封着方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-016107
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213503
出願日： 1995年02月02日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：
【要約】【構成】 キャビティ部16を備えたパッケージ基体11とキャビティ部16を封止するメタライズ層14を備えた矩形のリッド12とパッケージ基体11とリッド12との間を気密に封着する半田層15とで構成されたセラミック製パッケージにおいて、半田層15がパッケージ基体11側のメタライズ層20及びリッド12側のメタライズ層14の間に形成され、リッド12のメタライズ層14の幅が辺部よりもコーナー部付近で広く、辺部のシールパス幅W1 に対するコーナー部のシールパス幅W2 の比が1.2以上であるセラミック製パッケージ。【効果】 辺部中央はシールパス幅W1 が狭く、封着時に辺部の中央付近の流動半田層部分からキャビティ部のガスが抜け易く、封着後も流動半田層全体、特にコーナー部における耐ガス圧性を向上させることができるため、スプラッターの発生を抑制することができる。
請求項（抜粋）：
半導体装置を収納する矩形のキャビティ部を備えたセラミック製のパッケージ基体と、該キャビティ部を封止する外周縁部にメタライズ層を備えた矩形のセラミック製のリッドと、前記パッケージ基体と前記リッドとの間を気密に封着する半田層とで構成されたセラミック製パッケージにおいて、前記半田層が前記パッケージ基体側のメタライズ層及び前記リッド側のメタライズ層の間に形成され、前記リッドのメタライズ層の幅が辺部よりもコーナー部付近で広く、前記リッドの外周部と、前記パッケージ基体のメタライズ層の内周部もしくは前記リッドのメタライズ層の内周部のいずれか前記リッドの外周部に近い側との間の水平距離に関し、辺部における前記水平距離の最小値W1 に対するコーナー部における前記水平距離W2 の比が1.2以上であることを特徴とするセラミック製パッケージ。
IPC (3件)：
H01L 23/08
, H01L 23/04
, H01L 23/10
