特許

J-GLOBAL ID：200903060606211471

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 興梠 泰宏 ,  山下 正之
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-245270
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055605
出願日： 1991年08月28日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 フローティングゲートとコントロールゲートを有する不揮発性半導体記憶装置の書き込み特性を向上する。【構成】 フローティングゲート4とコントロールゲート5とを備えたフローティングゲート型不揮発性半導体記憶装置において、前記コントロールゲート5に絶縁膜3を介して接するフローティングゲート4の上面に凹凸を設け、コントロールゲート5とフローティングゲート4間に発生する容量値を増大させたものである。

請求項（抜粋）：

フローティングゲートとコントロールゲートとを備えたフローティングゲート型不揮発性半導体記憶装置において、前記コントロールゲートに絶縁膜を介して接するフローティングゲートの上面に凹凸を設け、コントロールゲートとフローティングゲート間に発生する容量値を増大させたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (3件)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434