特許

J-GLOBAL ID：200903060606246950

半導体レーザ素子およびその製作方法

発明者： 今荘 義弘 ,  行谷 武 ,  平谷 雄二 ,  菊田 俊夫
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-154297
公開番号（公開出願番号）：特開平5-327123
出願日： 1992年05月20日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】 埋め込み型半導体レーザ素子の電流狭窄半導体層に伴う諸問題を解決した半導体レーザ素子を提供する。【構成】 活性層3の両側を電流狭窄半導体層4で埋め込んだ埋め込み型半導体レーザ素子において、電流狭窄半導体層4を電子と正孔との数が同一になるように補償された半導体層で構成する。

請求項（抜粋）：

活性層の両側を電流狭窄半導体層で埋め込んだ埋め込み型半導体レーザ素子において、電流狭窄半導体層は電子と正孔との数が同一になるように補償された半導体層からなることを特徴とする半導体レーザ素子。