特許
J-GLOBAL ID：200903060606349309
窒化ホウ素含有膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-312170
公開番号（公開出願番号）：特開平5-148625
出願日： 1991年11月27日
公開日（公表日）： 1993年06月15日
要約：
【要約】【目的】低温化で成膜できしかも密着性に優れた窒化ホウ素含有膜の製造方法を提供する。【構成】基体上にホウ素元素を含有する膜を蒸着等により形成する工程と同時、交互または前記工程後に、窒素元素を含むイオンをイオン源より基体に照射することにより、前記基体上に窒化ホウ素を含有する膜の製造方法であって、前記イオン照射を行う際のイオン1個当たりの加速エネルギーをX(eV)とし、前記形成される窒化ホウ素含有膜中のホウ素(B)と窒素(N)のB/N組成比をYとした場合、2000≦X≦40000の範囲内でかつXおよびYが所定の条件を満たす第1の成膜を行い、さらにその後、0<X≦2000の範囲内で1≦Y≦2.5 ×10<SP>-3</SP>×X+5を満たす条件で第2の成膜を行うものである。
請求項（抜粋）：
基体上にホウ素元素を含有する膜を蒸着等により形成する工程と同時、交互または前記工程後に、窒素元素を含むイオンをイオン源より基体に照射することにより、前記基体上に窒化ホウ素を含有する膜の製造方法であって、前記イオン照射を行う際のイオン1個当たりの加速エネルギーをX(eV)とし、前記形成される窒化ホウ素含有膜中のホウ素(B)と窒素(N)のB/N組成比をYとした場合、2000≦X≦40000の範囲内で2000<X≦5000のとき3≦Y≦(2/3) ×10<SP>-3</SP>×(X-2000)+10を満たし、5000<X≦10000のとき4×10<SP>-4</SP>×(X-5000)+3≦Y≦1.2 ×10<SP>-3</SP>×(X-5000)+12を満たし、10000<X≦40000のとき(1/3)×10<SP>-4</SP>×(X-10000)+5≦Y≦(2/3) ×10<SP>-4</SP>×(X-10000)+18を満たす前記Xと前記Yの値から選択された一つ以上の条件で第1の成膜を行い、さらにその後、0<X≦2000の範囲内で1≦Y≦2.5 ×10<SP>-3</SP>×X+5を満たす前記Xおよび前記Yの値から選択された一つ以上の条件で第2の成膜を行うことを特徴とする窒化ホウ素含有膜の製造方法。
IPC (5件)：
C23C 14/32
, B23P 15/28
, C23C 8/36
, C23C 14/06
, C23C 30/00
