特許
J-GLOBAL ID：200903060607913550
基板加熱処理方法およびその装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉谷 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-210692
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049151
出願日： 1998年07月27日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：
【要約】【課題】 基板上に塗布形成された強誘電体や高誘電率材料からなる薄膜の結晶化反応を膜全体に均一に進行させて良質な薄膜を形成することができる基板加熱処理方法およびその装置を提供する。【解決手段】 強誘電体または高誘電率材料からある薄膜が塗布形成された基板W群を炉心管15内に収納する。この炉心管15内の基板W群をヒータ20で加熱するとともに、気化器25から水蒸気を含む処理ガスを炉心管15に供給する。基板W群が水蒸気雰囲気中で加熱処理されると、比較的に分子量の小さな水分子が基板W上の薄膜の内部にまで速やかに進入し、薄膜の結晶化反応(酸化反応)が膜全体に均一に進行する。
請求項（抜粋）：
強誘電体または高誘電率材料からなる薄膜が塗布形成された基板を加熱処理する基板加熱処理方法において、前記薄膜が形成された基板を水蒸気雰囲気中で加熱処理することを特徴とする基板加熱処理方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (3件)：
4G050AB02
, 5F045BB04
, 5F045HA16
