特許

J-GLOBAL ID：200903060610038920

熱電半導体およびその製造方法

発明者： 田中 爾文 ,  網谷 健児 ,  星 伸吾 ,  田辺 克行
出願人/特許権者： ユニチカ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-219830
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044520
出願日： 1999年08月03日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 熱電性能の優れた熱電半導体およびその製造方法を提供する。【解決手段】 セラミックスからなる熱電半導体であって、たとえば、平均粒体粒径300nmのZnOと平均粉体粒径300nmのAl2O3微粒子を原料として用い、モル比で(ZnO)0.99(Al2O3)0.01となるように秤量後、直径10mmのナイロンボールが充填されたナイロン製ポットミル内に入れ、エタノール媒体中で24時間混合し、次に、1200kg/cm2の応力にて1軸加圧成形することにより、直径20mm、厚さ10mmの成形体を得、その後、成形体を焼成炉中において1400°C、10時間保持することにより焼結を行うことによって作製した、熱電半導体を構成する結晶粒径が40μm以下であることを特徴とする熱電半導体。

請求項（抜粋）：

セラミックスからなる熱電半導体であって、熱電半導体を構成する結晶粒径が40μm以下であることを特徴とする熱電半導体。

IPC (3件)：

H01L 35/22 ,  C04B 35/495 ,  H01L 35/34

FI (3件)：

H01L 35/22 ,  H01L 35/34 ,  C04B 35/00 J

Fターム (5件)：

4G030AA32 ,  4G030AA36 ,  4G030BA02 ,  4G030BA21 ,  4G030CA05