特許
J-GLOBAL ID：200903060611577514
アクティブマトリクス表示装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-222193
公開番号（公開出願番号）：特開平8-087033
出願日： 1994年09月16日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：
【要約】【目的】 少ないマスク工程で、歩留まりの高い生産性のよいアクティブマトリクス液晶表示装置の製造方法を提供すること。【構成】 絶縁性基板上にゲ-ト電極及びゲ-ト取り出し電極を形成する工程と、全面に絶縁膜、半導体薄膜及び金属膜を順次形成する工程と、第1のレジストパタ-ンをマスクとして用いて、前記金属膜をパタ-ニングする工程と、第1のレジストパタ-ン及びパタ-ニングされた前記金属膜の少なくとも一方をマスクとして用いて、前記半導体薄膜及び絶縁膜をパタ-ニングし、前記ゲ-ト取り出し電極を露出させる工程と、全面に透明導電膜を形成する工程と、第2のレジストパタ-ンをマスクとして用いて、前記透明導電膜をパタ-ニングして画素電極を形成する工程と、及び前記第2のレジストパタ-ン及び前記画素電極の少なくとも一方をマスクとして用いて、前記金属膜パタ-ンの露出する部分を除去する工程とを具備することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に形成した画素電極をマトリクスアレ-状に配列した信号線及び走査線で選択したスイッチングトランジストで駆動するアクティブマトリクス表示装置の製造方法において、前記絶縁性基板上にゲ-ト電極及びゲ-ト取り出し電極を形成する工程と、全面に絶縁膜、半導体薄膜及び金属膜を順次形成する工程と、第1のレジストパタ-ンをマスクとして用いて、前記金属膜をパタ-ニングする工程と、第1のレジストパタ-ン及びパタ-ニングされた前記金属膜の少なくとも一方をマスクとして用いて、前記半導体薄膜及び絶縁膜をパタ-ニングし、前記ゲ-ト取り出し電極を露出させる工程と、全面に透明導電膜を形成する工程と、第2のレジストパタ-ンをマスクとして用いて、前記透明導電膜をパタ-ニングして画素電極を形成する工程と、前記第2のレジストパタ-ン及び前記画素電極の少なくとも一方をマスクとして用いて、前記金属膜パタ-ンの露出する部分を除去する工程とを具備することを特徴とするアクティブマトリクス表示装置の製造方法。
IPC (4件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/13 101
, H01L 29/786
, H01L 21/336
