特許
J-GLOBAL ID：200903060617015372
半導体熱処理装置および半導体熱処理装置用高純度炭化珪素質部材とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
泉名 謙治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-325213
公開番号（公開出願番号）：特開平5-032458
出願日： 1991年11月13日
公開日（公表日）： 1993年02月09日
要約：
【要約】【目的】半導体熱処理装置用SiC質部材を高純度化し、熱処理されるLSIやVLSI等の製品歩留りを向上せしめる。【構成】α-SiC粉末の粒子径を44μm以下、平均粒子径を2〜25μmとして混酸と純水で洗浄することにより高純度の粉末とすることができ、この粉末の焼結体に高純度のシリコンを溶融含浸せしめた部材は、鉄の含有量が5ppm以下である。
請求項（抜粋）：
主としてα型炭化珪素とシリコンからなる半導体熱処理装置用炭化珪素質部材であって、部材を構成するα型炭化珪素の結晶粒子径が44μm 以下で、その重量平均結晶粒子径が 2〜25μm の範囲にあり、シリコンが炭化珪素の結晶粒子間を充たしており、かつ部材中に含まれる不純物である鉄の含有量が5ppm以下であることを特徴とする半導体熱処理装置用高純度炭化珪素質部材。
IPC (4件)：
C04B 35/56 101
, C04B 35/56
, C04B 41/88
, H01L 21/22
