特許

J-GLOBAL ID：200903060628432129

水素吸蔵合金電極の製造方法

発明者： 伊東 範幸 ,  津幡 英樹
出願人/特許権者： 日立マクセル株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 康昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-025309
公開番号（公開出願番号）：特開2001-216958
出願日： 2000年02月02日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
要約：

【要約】【課題】 剥離強度に優れた水素吸蔵合金電極を提供する。【解決手段】 水素吸蔵合金を活物質とする電極用ペ-ストを導電性基材に塗布し、乾燥する水素吸蔵合金電極の製造方法において、前記電極用ペースト中にポリN-ビニルアセトアミドを含有するとともに、前記電極用ぺ-ストの乾燥時に赤外線を照射して乾燥する。

請求項（抜粋）：

水素吸蔵合金を活物質とする電極用ペ-ストを導電性基材に塗布し、乾燥する水素吸蔵合金電極の製造方法において、前記電極用ペースト中にポリN-ビニルアセトアミドを含有するとともに、前記電極用ぺ-ストの乾燥時に赤外線を照射して乾燥する工程を含むことを特徴とする水素吸蔵合金電極の製造方法。

IPC (2件)：

H01M 4/26 ,  H01M 4/62

FI (2件)：

H01M 4/26 J ,  H01M 4/62 C

Fターム (11件)：

5H050AA01 ,  5H050BA14 ,  5H050CA03 ,  5H050CB17 ,  5H050DA03 ,  5H050DA14 ,  5H050EA03 ,  5H050EA23 ,  5H050GA02 ,  5H050GA22 ,  5H050HA00