特許

J-GLOBAL ID：200903060632446509

半導体装置およびその製造方法

発明者： 長谷川 利昭
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-059413
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256363
出願日： 1997年03月13日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】 多孔質誘電体膜に溝やビアホールを形成する際に、多孔質誘電体膜へのガスの吸着を防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明に係る半導体装置の製造方法では、まず、シリコン酸化膜2の上に、多孔質誘電体膜4を形成する。次に、多孔質誘電体膜4の上に絶縁膜7を形成する。次に、絶縁膜7の上からのレーザビーム、または電子ビームを照射することによって、多孔質誘電体膜4に、配線パターンと同一のパターンを有する空洞部を形成する。このとき、凝縮層6が形成される。次に、絶縁膜7に、多孔質誘電体膜4の空洞部のパターンと同一のパターンを有する開口部9を形成して、配線パターンと同一のパターンを有する配線溝10を形成する。最後に、配線溝10に金属を埋め込み、金属配線8を形成する。ここで、多孔質誘電体膜は、多孔質のシリコーン樹脂、または多孔質のポリフルオロエチレン系樹脂からなる。また、絶縁膜7はシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、または有機系低誘電率膜からなる。

請求項（抜粋）：

基板または第1の絶縁膜の上に、多孔質誘電体膜を形成し、上記多孔質誘電体膜の上に第2の絶縁膜を形成し、上記第2の絶縁膜および上記多孔質誘電体膜を貫通し、配線パターンと同一のパターンを有する配線溝を形成し、上記配線溝に金属配線を形成し、上記金属配線と上記多孔質誘電体膜との間に、凝縮膜を形成する構成を有することを特徴とする半導体装置。