特許
J-GLOBAL ID：200903060633420520
半導体不良解析システムおよびその解析データの圧縮方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-044006
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275696
出願日： 1993年03月04日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：
【要約】【目的】半導体不良解析システムにおいて、半導体の高集積化に対応し、より測定精度の高い解析を行なう。また、使いやすいユーザインターフェースを提供し、解析を容易にする。さらに、解析データの圧縮を能率的に行なう。【構成】FB解析システム105と検査データ解析システム101とテスタを有し、データ解析のためのLSI設計情報107を持つ。また、表示装置にその不良情報または解析データまたは検査条件をマルチウィンドウを用いて表示する。さらに、解析データのデータ圧縮時に不良ビットの生ずる形態により、その格納形態を異ならしめる。
請求項（抜粋）：
半導体の不良解析システムに係り、半導体の不良情報を収集する手段と、半導体の不良情報を検査する手段と、その不良情報のデ-タ解析を行なう手段とを有し、そのデータ解析に用いる半導体の設計情報を有することを特徴とする半導体の不良解析システム。
IPC (2件)：
H01L 21/66
, G11C 29/00 303
