半導体集積回路装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-216896
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055602
出願日： 1991年08月28日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【目的】不揮発性記憶回路を備えた半導体集積回路装置において、(1)信頼性を向上する。(2)集積度を向上する。(3)周辺回路の設計を容易にできる。【構成】メモリセルQが、半導体領域(拡散層)で形成された制御ゲート電極4と、この制御ゲート電極4上、チャネル形成領域上の夫々に同一のゲート絶縁膜5を介在して配置された電荷蓄積ゲート電極6とを備えた電界効果トランジスタで構成され、情報書込みをホットエレクトロン注入又はアバランシェ注入、情報消去をFNトンネル電流とする一括消去型EEPROMを構成する。

請求項（抜粋）：

電荷蓄積ゲート電極及び制御ゲート電極を有する電界効果トランジスタでメモリセルが構成される不揮発性記憶回路を搭載する半導体集積回路装置において、前記不揮発性記憶回路のメモリセルの電界効果トランジスタが、半導体基体の主面部のソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域と別の領域に配置された半導体領域で形成される制御ゲート電極と、前記チャネル形成領域の表面上、前記制御ゲート電極の表面上の夫々にほぼ同等の膜厚で形成された第1ゲート絶縁膜、第2ゲート絶縁膜の夫々と、前記第1ゲート絶縁膜の表面上及び第2ゲート絶縁膜の表面上に設けられかつ一体に構成された電荷蓄積ゲート電極とを備え、前記メモリセルへの情報書込み動作がチャネル形成領域から電荷蓄積ゲート電極へのホットエレクトロン注入若しくはエレクトロンのアバランシェ注入で行われ、情報消去動作が電荷蓄積ゲート電極からドレイン領域若しくはソース領域へのエレクトロンのトンネル電流による引き抜きで行われることを特徴とする、電気的一括消去型不揮発性記憶回路を備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

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