特許
J-GLOBAL ID：200903060644280304
半導体記憶装置、データ処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
玉村 静世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-153941
公開番号（公開出願番号）：特開平8-329693
出願日： 1995年05月29日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：
【要約】【目的】 本発明の目的は、書換え保証回数を増大することにある。【構成】 メモリセルのライト回数がカウンタ113により計数され、その計数結果に基づいてメモリ制御回路112によりメモリセルへのリフレッシュバイアス印加が行われるようになっているので、トンネル酸化膜の不整合部分にトラップされた電子を引抜いて特性劣化を低減することにより、書込み時間が不所望に長くなってしまうのを緩和し、それによって書換え保証回数の増大を図る。
請求項（抜粋）：
基板とフローティングゲートとの間にトンネル酸化膜が形成されたメモリセルを含む半導体記憶装置において、上記トンネル酸化膜にトラップされた電子を放出させるリフレッシュバイアスを上記メモリセルに印加する制御手段を含むことを特徴とする半導体記憶装置。
FI (2件)：
G11C 17/00 309 Z
, G11C 17/00 309 F
