特許
J-GLOBAL ID：200903060649688913
半導体基板の洗浄方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-154590
公開番号（公開出願番号）：特開平5-003185
出願日： 1991年06月26日
公開日（公表日）： 1993年01月08日
要約：
【要約】【目的】 基板の洗浄方法において、半導体基板表面の清浄度を高める。【構成】 シリコン半導体集積回路を製造する際にシリコン半導体基板を洗浄工程において、該シリコン半導体基板を乾燥した直後にオゾンを含む雰囲気に入れることにより、該シリコン半導体基板のシリコン露出部分の表面に厚さ20Å以下の清浄なシリコン酸化膜を形成する。【効果】 この洗浄方法を使用して半導体集積回路を製造した場合、該半導体集積回路の電流特性を著しく改善することができる。
請求項（抜粋）：
シリコン半導体基板の洗浄において、該シリコン半導体基板をオゾンを含む不活性ガス雰囲気に入れて、該シリコン半導体基板のシリコン露出部分の表面に厚さ20Å以下の清浄なシリコン酸化膜を形成することを特徴とする半導体基板の洗浄方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/304
