特許

J-GLOBAL ID：200903060653044192

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： 水島 一郎 ,  三谷 祐一郎 ,  神林 茂 ,  柏木 正弘 ,  西野 弘剛
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-084501
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153688
出願日： 1995年03月17日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：

【要約】【目的】シリコン膜を選択的に形成すること【構成】ソース・ドレイン領域のシリコン基板101の表面をエッチングした後に、ソース・ドレイン領域のシリコン露出面および絶縁膜102,106,108の表面をフッ素含有ガスにより処理した後、CVD法によりシリコン露出面にボロン添加シリコン膜107を選択的に形成する。

請求項（抜粋）：

表面にシリコン領域を有し、その一部が絶縁膜で覆われた基板の前記シリコン領域の露出面にシリコン膜を選択的に形成するに際し、前記シリコン領域の露出面および前記絶縁膜の表面をフッ素含有ガスにより処理した後、前記基板にシリコン原料を供給することにより、前記シリコン領域の露出面にシリコン膜を選択的に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/316

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-003420
  
• 特開平1-093118
  
• 特開平2-185023