特許

J-GLOBAL ID：200903060655032426

SOI基板の製造方法

発明者： 高田 涼子 ,  高石 和成 ,  富澤 憲治
出願人/特許権者： 三菱マテリアルシリコン株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-139031
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335616
出願日： 1997年05月29日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：

【要約】【課題】薄膜表面のタッチポリッシュによる研磨を不要にでき、また厚さが極めて薄い薄膜であっても、膜厚が均一でかつ表面粗さが良好な薄膜が得られる。【解決手段】表面に絶縁層11aが形成された半導体基板11に水素イオンを注入して半導体基板11内部に絶縁層11aに平行な損傷領域11bを形成し、半導体基板11を支持基板12に重ね合せて積層体13を形成する。この積層体13を1×10-6〜1×10-11torrの真空中で400〜500°Cの範囲に昇温して半導体基板11を損傷領域11bで厚肉部11c及び薄膜11dに分離する。更に積層体13の温度を所定の温度まで下げて半導体基板11の厚肉部11cを除去した後に、積層体13を1×10-6〜1×10-11torrの真空中で900〜1200°Cの範囲に昇温して薄膜11d表面を平坦化しかつ薄膜11dを支持基板11に貼合せる。

請求項（抜粋）：

表面に絶縁層(11a)が形成された半導体基板(11)に水素イオンを注入して前記半導体基板(11)内部に前記絶縁層(11a)に平行な損傷領域(11b)を形成する工程と、前記半導体基板(11)を支持基板(12)に重ね合せて積層体(13)を形成する工程と、前記積層体(13)を1×10-6〜1×10-11torrの真空中で400〜500°Cの範囲に昇温して前記半導体基板(11)を前記損傷領域(11b)で厚肉部(11c)及び薄膜(11d)に分離する工程とを含むSOI基板の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/265

FI (3件)：

H01L 27/12 B ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/265 Q