ドライエッチング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-236271
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094467
出願日： 1993年09月22日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【目的】 SiON(酸化窒化シリコン)反射防止膜を積層した被エッチング材料層の異方性エッチングを行う。【構成】バリヤメタル2、Al-1%Si層3、SiON反射防止膜4がこの順に積層されてなるAl系多層膜のエッチングを行う前に、斜め回転イオン注入によりレジスト・マスク6の表面を表面硬化層7で被覆し、エッチング耐性を高める。あるいは、フルオロカーボン系のガスを用いたプラズマ照射により、SiON反射防止膜4のエッチングと表面硬化層7の形成を同時に行っても良い。【効果】 SiON反射防止膜のエッチング中にO* が放出されても、レジスト・マスク6のエッジが横方向に後退しないので、寸法変換差が抑制され、異方性形状が得られる。

請求項（抜粋）：

酸素を含有する反射防止膜で表面を被覆されてなる被エッチング材料層をレジスト・マスクを介してエッチングするドライエッチング方法において、少なくとも前記被エッチング材料層のエッチングに先立ち、前記レジスト・マスクの少なくともパターン側壁面の硬化処理を行うことを特徴とするドライエッチング方法。

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