積層型キャパシタ及びその形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：服部雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-193121
公開番号（公開出願番号）：特開2000-036579
出願日： 1999年07月07日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：

【要約】【課題】限定された空間内で積層型キャパシタの容量を拡張する。【解決手段】絶縁膜にストレージノードコンタクトホール16を形成して、ストレージノードコンタクトホール16内部と絶縁膜14の上部にポリシリコンを積層して、ポリシリコン膜質の上部に平面的に略長方形状であり最少一つ以上の側面に凹部を持つようにフォトレジストをパターン化して、ポリシリコン膜質をドライエッチングしてストレージノード18を形成して、その上部に誘電膜とプレート電極を順次的に積層形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁膜に形成されたストレージノードコンタクトホールの内部と前記絶縁膜上部の一部領域にわたって、前記絶縁膜の上部に平面的に前記ストレージノードコンタクトホールを基準として非対称になるように一方側にかよって所定表面に最少一つ以上の凹部が形成された略長方形状のストレージノードと、前記ストレージノードの上部に蒸着される誘電膜と、前記誘電膜の上部のプレート電極とを含んで構成することを特徴とする積層型キャパシタ。

IPC (4件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 621 Z , H01L 27/04 C

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