特許
J-GLOBAL ID:200903060668274801

レーザダイオード劣化予測装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 井桁 貞一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-273084
公開番号(公開出願番号):特開平9-116231
出願日: 1995年10月20日
公開日(公表日): 1997年05月02日
要約:
【要約】【課題】 レーザダイオードのバイアス電流を監視し、レーザダイオードの劣化時期を予測するレーザダイオード劣化予測装置を提供することを目的とする。【解決手段】 レーザダイオードを搭載する機器の電源を初めて投入した時を検出する初期電源投入検出手段と、時刻情報を生成する時刻情報生成手段と、初期電源投入検出手段からの電源投入情報により初期のバイアス電流値と電源投入検出日時を記憶する初期バイアス電流値記憶手段と、任意の時点のバイアス電流値と日時を記憶するバイアス電流値記憶手段と、劣化予測装置内の動作を制御する制御手段と、バイアス電流値を検出電流値と比較するバイアス電流値比較手段と、検出電流値や検出日時を設定するとともに、記憶してデータを用いて劣化予測日数の演算を行う演算処理手段と、記憶した各種データや演算結果のグラフを表示する表示手段とを有する構成とする。
請求項(抜粋):
装置に使用されているレーザダイオードの劣化を、バイアス電流を監視することにをよって予測するレーザダイオード劣化予測装置であって、該装置の最初の電源投入を検出する初期電源投入検出手段と、該初期電源投入検出手段からの電源投入情報により、その時のレーザダイオードのバイアス電流値である初期バイアス電流値と該電源投入日時を記憶する初期バイアス電流値記憶手段と、所定時点でのバイアス電流値とその日時を記憶するバイアス電流値記憶手段と、該初期バイアス電流値記憶手段および該バイアス電流値記憶手段とに記憶されている情報に基づいて該レーザダイオードの劣化時点の予測に必要な情報を表示する予測・表示手段と、を有することを特徴とするレーザダイオード劣化予測装置。
IPC (2件):
H01S 3/18 ,  H04B 10/08
FI (2件):
H01S 3/18 ,  H04B 9/00 K

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