特許

J-GLOBAL ID：200903060669783130

半導体レーザ及びその製造方法並びにこれを用いた近接場光ヘッド

発明者： 高橋 真
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 大石 皓一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-328771
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134827
出願日： 2000年10月27日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：

【要約】【課題】 近接場光が発せられる微小開口の形成が容易な半導体レーザ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 レーザ光の発光領域10を含むレーザ出射端面のうち、発光領域10と所定の関係を有する位置に、あらかじめ凹部11を形成しておく。次いで、発光領域10を含むレーザ出射端面の全面を覆う遮光膜13を形成する。そして、形成された遮光膜13のうち、凹部11と所定の関係を有する位置に微小開口14を形成する。これにより、遮光膜13が形成された後においても、微小開口14を形成すべき位置を把握することが可能となる。

請求項（抜粋）：

レーザ光の発光領域を含むレーザ出射端面を備える半導体レーザであって、前記レーザ出射端面のうち前記発光領域とは異なる領域に、前記発光領域の位置を示す立体的特徴部が形成されていることを特徴とする半導体レーザ。

IPC (5件)：

H01S 5/028 ,  G01N 13/10 ,  G01N 13/14 ,  G11B 7/125 ,  H01S 5/223

FI (5件)：

H01S 5/028 ,  G01N 13/10 G ,  G01N 13/14 B ,  G11B 7/125 A ,  H01S 5/223

Fターム (14件)：

5D119AA22 ,  5D119AA38 ,  5D119FA05 ,  5D119JA58 ,  5D119JB02 ,  5D119NA04 ,  5F073AA09 ,  5F073AA13 ,  5F073AA83 ,  5F073AA85 ,  5F073BA05 ,  5F073CA05 ,  5F073CB20 ,  5F073DA26