特許
J-GLOBAL ID：200903060670438544
不揮発性半導体メモリシステム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-024769
公開番号（公開出願番号）：特開平5-081880
出願日： 1991年02月19日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：
【要約】【目的】効率的な書込みにより、書込み後のメモリセルのしきい値を所望の範囲に収めることを可能としたEEPROMシステムを提供する。【構成】本発明のシステムでは、単位の書込み時間が設定されたデータ書込みと書込みベリファイ動作が1ページ内で繰り返され、さらに順次各ページについて繰返される。このデータ書込み動作において、あるページのデータ書込みに際しては、前ページでのデータ書込みに要したトータル時間が最初のデータ書込み時間として設定され、無駄な書込みとベリファイの繰り返しが省略される。
請求項（抜粋）：
電気的書替え可能で、かつデータ書込み状態を確認する書込みベリファイ制御回路を有する不揮発性半導体メモリを用いたシステムにおいて、1ページ分のメモリセルについて所定の単位書込み時間を設定して同時にデータ書込みを行う手段と、データ書込みがなされた1ページ分のメモリセル群について、書込みベリファイ動作を行う手段と、1ページ分のメモリセル群に書込み不十分のメモリセルがある場合に、書込み不十分のメモリセルがなくなるまで、同じページについて同じ単位書込み時間を設定してデータ書込みと書込みベリファイ動作を繰り返す手段と、第iページのデータ書込みが終了した後、第i+1ページについて同様にデータ書込みと書込みベリファイ動作を繰り返す手段と、第i+1ページのデータ書込みを行う際に、第iページのデータ書込みに要したトータル書込み時間を最初のデータ書込み時間として設定する手段と、を備えたことを特徴とする不揮発性半導体メモリシステム。
FI (2件)：
G11C 17/00 309 A
, G11C 17/00 309 E
