特許

J-GLOBAL ID：200903060674240854

発光素子及びその製造方法

発明者： 林 伸彦 ,  狩野 隆司
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-184136
公開番号（公開出願番号）：特開2000-232259
出願日： 1999年06月29日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
要約：

【要約】【課題】 発光層が量子井戸構造であっても、発光層中におけるIn、N等の構成原子の脱離が抑制され、結晶性の劣化が少なく、発光効率の良い発光素子を提供する。【解決手段】 井戸層143が下側に位置する第1バリア層142と上側に位置する第2バリア層144とにより挟まれ、井戸層143及び第1、第2バリア層142、144がInとNとを含有する発光層を有する発光素子において、第1バリア層142及び第2バリア層144はAlを含有し、第1バリア層142よりも第2バリア層144の方がAlの組成比が大きいことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

井戸層が下側に位置する第1バリア層と上側に位置する第2バリア層とにより挟まれた構造の発光層を有し、前記井戸層及び第1、第2バリア層がInとNとを含有する発光素子において、前記第1バリア層及び第2バリア層はAlを含有し、前記第1バリア層よりも前記第2バリア層の方がAlの組成比が大きいことを特徴とする発光素子。

IPC (2件)：

H01S 5/343 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 677 ,  H01L 33/00 C

Fターム (18件)：

5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041FF16 ,  5F073AA13 ,  5F073AA20 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA73 ,  5F073AA74 ,  5F073BA06 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073EA23