特許
J-GLOBAL ID：200903060674395033
気相成長装置およびこれによって製造された化合物半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大岩 増雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-186090
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036049
出願日： 1995年07月21日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：
【要約】【課題】 ウェハ面内を均熱化するウェハホルダーを用い、ウェハ面内での化合物半導体結晶の組成の均一性を向上させる気相成長装置を提供する。【解決手段】 熱輻射型基板加熱方式MOVCVD成長装置において、ウェハホルダー1上に形成されたウェハポケット2内部の、ウェハホルダー回転方向に対して前方領域に、深さ1mm以下程度の半円形の凹部3を形成する。これによりガス上流部でのPリッチが抑制される。すなわち、通常のウェハホルダーでは、表面温度がガス上流部分で高く、ガス下流部分で低い不均一な分布を示すが、本構造をとることにより、ウェハ密着部において高温化、非密着部において低温化が実現でき、ガス上流部と下流部において均一な表面温度となる。
請求項（抜粋）：
反応ガス導入口、排気配管等を具備した気相反応室、この気相反応室内に設けられ、ウェハを水平に載置する座ぐり部が形成されたウェハホルダー、上記座ぐり部内の一部に形成された凹部、上記ウェハホルダーを回転させる駆動部、上記ウェハホルダー裏面側に設置されたウェハを加熱するヒータを備え、上記座ぐり部に載置されたウェハの上記凹部上領域の表面温度の上昇を抑制し、ウェハ面内を均熱化することを特徴とする気相成長装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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