特許

J-GLOBAL ID：200903060679668186

微細パターン形成方法

発明者： 稗田 泰之 ,  鎌田 芳幸 ,  喜々津 哲
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (6件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-093576
公開番号（公開出願番号）：特開2004-303870
出願日： 2003年03月31日
公開日（公表日）： 2004年10月28日
要約：

【課題】高度に規則的に配列された高アスペクト比の微細パターンを、被加工体表面に形成する方法を提供する。【解決手段】被加工体(11)上に、コア微粒子(13a)がシェル層(13b)に被覆されたコアシェル微粒子(13)を2層以上に細密充填して多層微粒子膜(12)を形成する工程、前記多層微粒子膜にドライエッチングを行なって、前記シェル層の材料に支持されたコア微粒子を含むエッチングマスクパターン(14)を形成する工程、及び、前記エッチングマスクパターンの形状を前記被加工体に転写することにより、前記被加工体に微細パターン(15)を形成する工程を具備することを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

被加工体上に、コア微粒子がシェル層に被覆されたコアシェル微粒子を2層以上に細密充填して多層微粒子膜を形成する工程、 前記多層微粒子膜にドライエッチングを行なって、前記シェル層の材料に支持されたコア微粒子を含むエッチングマスクパターンを形成する工程、および 前記エッチングマスクパターンの形状を前記被加工体に転写することにより、前記被加工体に微細パターンを形成する工程を具備することを特徴とする微細パターン形成方法。

IPC (3件)：

H01L21/027 ,  B81C1/00 ,  H01L21/3065

FI (3件)：

H01L21/30 502D ,  B81C1/00 ,  H01L21/302 105A

Fターム (9件)：

5F004BA04 ,  5F004BA11 ,  5F004DA16 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004DB08 ,  5F004DB23 ,  5F004EA03 ,  5F046AA28