特許
J-GLOBAL ID:200903060680495481

ペンタフルオロベンゼンを用いたペンタフルオロフェニルマグネシウム誘導体の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 箕浦 清
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-329959
公開番号(公開出願番号):特開平6-247976
出願日: 1993年12月01日
公開日(公表日): 1994年09月06日
要約:
【要約】【構成】 C6 HF5 で表されるペンタフルオロベンゼンにエーテル系溶媒中あるいはエーテル系溶媒と炭化水素系溶媒の混合非水溶媒中、-40°C〜 250°Cの温度範囲で 0.5〜 1.5当量の一般式R2-n MgXn (式中、nは0あるいは1の実数を示し、Xはハロゲンを示し、Rは炭素数が1〜10の炭化水素基を示し、該炭化水素基には反応に影響を及ぼさない官能基を含んでいてもよい。)で表される有機金属化合物を混合し、25°C以上で反応させることにより、次の一般式(C6 F5 )2-n MgXn (式中、nは0あるいは1の実数を示し、Xはハロゲンを示す。)で表されるペンタフルオロフェニルマグネシウム誘導体を製造する方法。【効果】 本発明はペンタフルオロフェニル基源の出発物質として非常に高価な臭化ペンタフルオロベンゼンをペンタフルオロベンゼンに代えることによりペンタフルオロフェニルマグネシウム誘導体が従来の製法に対して高収率かつ安価に製造する方法を提供することができる。
請求項(抜粋):
次式[I] C6 HF5 [I]で表されるペンタフルオロベンゼンにエーテル系溶媒中あるいはエーテル系溶媒と炭化水素系溶媒の混合非水溶媒中、-40°C〜 250°Cの温度範囲で 0.5〜 1.5当量の一般式[II] R2-n MgXn [II](式中、nは0あるいは1の実数を示し、Xはハロゲンを示し、Rは炭素数が1〜10の炭化水素基を示し、該炭化水素基には反応に影響を及ぼさない官能基を含んでいてもよい。)で表される有機金属化合物を混合し、25°C以上で反応させることにより、次の一般式[III] (C6 F5 )2-n MgXn [III](式中、nは0あるいは1の実数を示し、Xはハロゲンを示す。)で表されるペンタフルオロフェニルマグネシウム誘導体を製造する方法。

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