特許
J-GLOBAL ID：200903060681212645
半導体製造装置および半導体製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 哲也 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-245084
公開番号（公開出願番号）：特開平5-063051
出願日： 1991年08月30日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：
【要約】【目的】 露光装置における工程オフセット値を高速に、高精度に検出する。また、露光領域のコントロールを露光装置に行なわせ、検査に用いる先行ウエハの品質低下を防止する。【構成】 ステッパSTを含む1つのシステム内で、先行ウエハWFの露光、ずれ量計測および工程オフセットの測定と設定を行なう。また、先行ウエハに検査マークを露光する際、ステッパSTの露光領域を検査マーク領域に限定して露光するとともに、露光したウエハを現像することなく、ずれ計測を潜像により行ない、さらにずれ計測を行なった後、該先行ウエハに実素子パターンを露光する。
請求項（抜粋）：
レジストが塗布されたウエハをステップ移動しながら該ウエハ上の各ショットにレチクルのパターンを順次露光する半導体製造装置であって、該ウエハと該レチクルとを位置的に整合させるアライメント手段と、各ショットの露光領域を該レチクル上に形成された検査マークの領域に限定して露光可能な露光手段と、ウエハ上のマーク、およびウエハを露光することによりレジスト層内に形成されたレチクル側の検査マーク像を検出するマーク検出手段と、レジストを塗布された検査用ウエハを処理する際、該検査用ウエハを、まずアライメントし、各ショットの露光領域を前記検査マークの領域に限定して順次露光し、次に前記マーク検出手段にて該検査用ウエハ上に予め形成されている検査マークと前記露光によりレジスト層内に形成された検査マーク像を計測し、該計測値に基づき工程オフセットを検出して設定し、露光領域を実素子領域に設定し、その後該検査用ウエハ上に前記レチクルの実素子パターンを順次露光するように当該半導体製造装置を制御する制御手段とを具備し、前記工程オフセットを自動的に計測し設定することを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2件)：
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