特許
J-GLOBAL ID：200903060684452710
MR装置のプリパレーションパルス印加方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井島 藤治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-001906
公開番号（公開出願番号）：特開平6-205754
出願日： 1993年01月08日
公開日（公表日）： 1994年07月26日
要約：
【要約】【目的】 本発明はMR装置(核磁気共鳴装置)のT2プリパレーションパルス印加方法に関し、磁場中心から離れても縦磁化強度の損失を伴わず、磁場不均一の影響を小さくすることができるMR装置のプリパレーションパルス印加方法を提供することを目的としている。【構成】 90 ゚-180 ゚-90 ゚系列からなるプリパレーションパルスをRFコイルに印加するのに同期して、最初の90 ゚パルスに同期した勾配パルスにリフェーズ勾配パルスを付加し、2番目の90 ゚パルスの前に2番目の90°パルスのための選択励起用勾配の半分の面積のディフェーズ勾配パルスを付加するように構成する。
請求項（抜粋）：
90 ゚-180 ゚-90 ゚系列からなるプリパレーションパルスをRFコイルに印加するのに同期して、最初の90 ゚パルスに同期した選択励起用勾配パルスにリフェーズ勾配パルスを付加し、2番目の90 ゚パルスの前に2番目の90°パルスのための選択励起用勾配パルスの半分の面積を持つディフェーズ勾配パルスを付加するようにしたことを特徴とするMR装置の選択励起プリパレーションパルス印加方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
A61B 5/05 351
, G01N 24/08 N
