特許

J-GLOBAL ID：200903060706778193

配線基板

発明者： 佐藤 慎吾
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-292305
公開番号（公開出願番号）：特開2003-100802
出願日： 2001年09月25日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子を配線基板にフリップチップ実装した実装構造において、半導体素子と配線基板との間の熱膨張差により発生する応力により、それらを接合している金属バンプが破断される。【解決手段】 絶縁基体1の内部に配線導体3(3c)を有するとともに絶縁基体1の表面に半導体素子2をフリップチップ実装するための配線導体3cと電気的に接続された電極パッドを有する配線基板において、電極パッドは、配線導体3cから絶縁基体1の表面にかけて形成され、かつ表面に端部を20〜150μmの高さで突出させた貫通導体3bと、貫通導体3bの端部を覆うように形成されたランド導体3aとから成る配線基板である。半導体素子2と配線基板との間の熱膨張差により発生する応力が加わっても、半導体素子2側の電極パッド5と配線基板の電極パッドとの間が破断することがない。

請求項（抜粋）：

絶縁基体の内部に配線導体を有するとともに前記絶縁基体の表面に半導体素子をフリップチップ実装するための前記配線導体と電気的に接続された電極パッドを有する配線基板において、前記電極パッドは、前記配線導体から前記絶縁基体の表面にかけて形成され、かつ表面に端部を20〜150μmの高さで突出させた貫通導体と、該貫通導体の前記端部を覆うように形成されたランド導体とから成ることを特徴とする配線基板。

IPC (4件)：

H01L 21/60 311 ,  H05K 1/18 ,  H05K 3/34 501 ,  H05K 3/46

FI (6件)：

H01L 21/60 311 Q ,  H05K 1/18 L ,  H05K 3/34 501 E ,  H05K 3/46 H ,  H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 Q

Fターム (37件)：

5E319AA03 ,  5E319AB05 ,  5E319AC01 ,  5E319AC04 ,  5E319AC11 ,  5E319AC16 ,  5E319CD04 ,  5E319GG11 ,  5E319GG20 ,  5E336AA04 ,  5E336AA16 ,  5E336BB03 ,  5E336BB18 ,  5E336BC15 ,  5E336CC32 ,  5E336CC55 ,  5E336EE01 ,  5E336GG16 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA32 ,  5E346AA43 ,  5E346AA51 ,  5E346BB16 ,  5E346CC16 ,  5E346EE21 ,  5E346EE27 ,  5E346EE29 ,  5E346FF01 ,  5E346FF18 ,  5E346FF45 ,  5E346GG06 ,  5E346GG09 ,  5E346HH11 ,  5E346HH31 ,  5F044KK04 ,  5F044QQ00