特許
J-GLOBAL ID：200903060711659070
基準電圧発生回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-083672
公開番号（公開出願番号）：特開平5-289760
出願日： 1992年04月06日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：
【要約】【構成】 温度補償機能を有する改善された基準電圧発生回路202が開示される。定電圧回路を構成するPMOSトランジスタ3は、負帰還回路2bを構成するPMOSトランジスタ4と同じ特性を有している。周囲温度の変化に従って、各トランジスタ3および4のゲート・ドレイン電圧-ドレイン電流特性がシフトされるが、各トランジスタのドレイン電流を適当に設定することにより、温度補償が達成される。【効果】 温度補償のためのトランジスタ3および4が同じ製造工程において形成されうるので、製造工程の追加なしに温度補償作用が得られる。
請求項（抜粋）：
定電流源と、一体接続されたゲートとドレインとを有し、かつ前記定電流源からの出力電流をドレイン電流として受けるように接続された第1の電界効果トランジスタと、前記定電流源と前記第1の電界効果トランジスタの共通接続ノードに接続された増幅器手段と、前記増幅器手段に負帰還信号を与える負帰還回路手段とを含み、前記負帰還回路手段は、前記増幅器手段の出力ノードと電源電位との間に直列に接続された抵抗手段および第2の電界効果トランジスタとを含み、前記第2の電界効果トランジスタは、一体接続されたゲートとドレインとを有し、前記抵抗手段および前記第2の電界効果トランジスタの共通接続ノードを介して、負帰還信号が前記増幅器手段に与えられ、前記第1および第2の電界効果トランジスタは、周囲温度の上昇に従ってシフトされるゲート・ドレイン電圧-ドレイン電流特性を有し、前記第1および第2の電界効果トランジスタのドレイン電流は、前記増幅器手段の出力電圧の温度依存性が最小となるように決定される、基準電圧発生回路。
IPC (3件)：
G05F 1/56 320
, H01L 27/10 481
, H03F 1/30
