特許
J-GLOBAL ID：200903060712204646
超分子構造物質の改質方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小倉 啓七
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-078756
公開番号（公開出願番号）：特開2005-268531
出願日： 2004年03月18日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
要約：
【課題】 金属化合物を内包する超分子構造物質であるタンパク質のコアを導電性に改質する方法を提供し、超分子構造物質をフローティングゲートメモリ等のドットの部分に適用する。【解決手段】 水溶液の上に張られたポリペプチド膜にフェリチンを吸着させ、さらにシリコン基板に転写し、フェリチンを半導体表面に2次元配列させた後、UVオゾン処理によって外側のタンパクを除去し、コアのみとする。該コアは金属酸化物となって、タンパク質のサイズのピッチでシリコン基板上に残る。このコアを励起したガス雰囲気の中に放置することによって、コアの性質を電荷が保持されるように改質する。ドットを構成する物質と励起ガスの間で化学反応を起こさせ、コア物質の性質を絶縁性のものから導電性を有するものに変化させる。励起ガスには、高周波電源(RF電源、マイクロ波電源)により、水素ガス等を励起活性種の状態にしたものを用いる。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
超分子構造物質が内包可能な金属化合物もしくは半導体を、プラズマ処理によって導電化したものが、二次元的に絶縁膜層内部に配置されていることを特徴とする量子ドット。
IPC (4件)：
H01L21/8247
, H01L27/115
, H01L29/788
, H01L29/792
H01L29/78 371
, H01L27/10 434
5F083EP07
, 5F083EP22
, 5F083ER02
, 5F083ER09
, 5F083ER13
, 5F083ER22
, 5F083GA27
, 5F083JA36
, 5F083JA60
, 5F101BA12
, 5F101BA19
, 5F101BB02
, 5F101BC11
, 5F101BE05
, 5F101BE07
, 5F101BH30
出願人引用 (1件)
審査官引用 (6件)
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