特許
J-GLOBAL ID:200903060713314739
薄膜形成装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
川久保 新一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-091644
公開番号(公開出願番号):特開2004-298667
出願日: 2003年03月28日
公開日(公表日): 2004年10月28日
要約:
【課題】所定の厚みの薄膜を基板の全面に短時間で形成することができる装置を提供すること。【解決手段】液状物質を霧状にしてミストを発生し、そのミストを静電力によって基板に付着させ、該基板に均一な膜厚の薄膜を形成する装置において、前記液状物質を霧状にしてミストを発生するミスト発生部と、前記ミストを帯電させるミスト帯電部と、そのミスト帯電部により帯電された帯電ミストの流速を減速する減速部と、前記帯電ミストの帯電の極性と反対の極性の電荷を前記基板に誘起させて、その基板に前記帯電ミストを吸着させる静電コーティング部とからなる薄膜形成装置。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
液状物質を霧状にしてミストを発生し、そのミストを静電力によって基板に付着させ、該基板に均一な膜厚の薄膜を形成する装置において、
前記液状物質を霧状にしてミストを発生するミスト発生部と、
前記ミストを帯電させるミスト帯電部と、
該ミスト帯電部により帯電された帯電ミストの流速を減速すると共に、前記基板近傍の前記帯電ミストの濃度を高くする帯電ミスト減速部と、
前記帯電ミストの帯電の極性と反対の極性の電荷を前記基板に誘起させて、その基板に前記帯電ミストを吸着させる静電コーティング部と、
からなることを特徴とする薄膜形成装置。
IPC (1件):
FI (2件):
Fターム (13件):
4D075AA02
, 4D075AA09
, 4D075AA22
, 4D075AA71
, 4D075AA82
, 4D075AA85
, 4D075AA87
, 4D075CA47
, 4D075DA06
, 4D075EA07
, 4F034CA11
, 4F034DA23
, 4F034DA26
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