特許

J-GLOBAL ID：200903060713512352

半導体装置及びその製造方法

発明者： 細井 重広
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-072125
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283725
出願日： 1993年03月30日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 初段及び後段ゲート電極が再現性よく容易に形成できる半導体装置及びその製造方法を提供することである。【構成】 半導体基板上に対向形成されたソース電極11及びドレイン電極13と、前記ソース電極とドレイン電極との間にリセスエッチング法により形成された初段ゲート電極12a及び後段ゲート電極12bとを有する半導体装置において、前記初段及び後段ゲート電極は、それぞれ異なる第1金属Pd23及び第2金属Al24で構成されると共に、該第1及び第2の金属の仕事関数をそれぞれφG1及びφG2とした場合にφG1≧φG2となるような組み合わせで形成した。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に対向形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極とドレイン電極との間にリセスエッチング法により形成された初段及び後段ゲート電極とを有する半導体装置において、前記初段及び後段ゲート電極は、それぞれ異なる第1及び第2の金属で構成されると共に、該第1及び第2の金属の仕事関数をそれぞれφG1及びφG2とした場合にφG1≧φG2となるような組み合わせで形成されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/804 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 29/80 W ,  H01L 29/80 F