特許

J-GLOBAL ID：200903060714277152

導電性拡散障壁層の付着法

発明者： ジオン - ピン ル
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-301177
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144627
出願日： 1997年10月31日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：

【要約】【課題】 純粋で安定性のある、WNy 、WSix Ny 及びWBx Ny 、並びにWSix1Bx2Ny の絶縁保護性薄膜の比較的低い温度での製法を提供する。【解決手段】 プラズマ強化化学蒸着法で、純粋で安定性のある、WNy 、WSix Ny とWBx Ny 、WSix1Bx2Ny の絶縁保護性薄膜を付着させて膜を製造する、NH3 を用いない方法であり、窒素源としてアンモニウム塩前駆物質を使用しない。

請求項（抜粋）：

タングステンと窒素を含む導電性拡散障壁層を製造するための付着法において、(a)半導体デバイスのウェーハを付着温度に加熱する工程と、(b)タングステンと窒素を含む導電性拡散障壁層を、タングステン源成分と、アンモニウム塩前駆物質でない窒素源成分との組合せを含む源泉ガス混合物から上記ウェーハ上に付着させる工程とを含む付着法であって、これにより上記拡散障壁層は下部構造体を保護し、上層のメタライゼイションの接着を容易にする付着法。

IPC (6件)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/46 ,  C23C 28/02 ,  H01L 21/3205

FI (6件)：

H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 R ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/46 ,  C23C 28/02 ,  H01L 21/88 M